Module IGBT Transistor 2MBI100SC-120 1200V 100A

Description :

2MBI100SC-120

Module Trans IGBT N-CH 1200V 150A 780000mW

Tension maximale collecteur-émetteur : 1200 V

Tension maximale de l'émetteur de porte : ± 20 V

Courant de collecteur continu maximum : 150A

Dissipation de puissance maximale : 780 000 mW

Température de fonctionnement minimale : -40°C

Température de fonctionnement maximale : 150°C

Nombre de broches : 7